Instytut Technologii Elektronowej ogłasza przetarg
- Adres: 02668 Warszawa, Al. Lotników
- Województwo: mazowieckie
- Telefon/fax: tel. 225 487 700 , fax. 228 470 631
- Data zamieszczenia: 2017-06-02
- Zamieszczanie ogłoszenia: obowiązkowe
Sekcja I - Zamawiający
- I.1. Nazwa i adres: Instytut Technologii Elektronowej
Al. Lotników
02668 Warszawa, woj. mazowieckie
tel. 225 487 700, fax. 228 470 631
REGON: 3897100000 - I.2. Rodzaj zamawiającego: podmiot prawa publicznego
Sekcja II - Przedmiot zamówienia, przetargu
- II.1. Określenie przedmiotu zamówienia
- II.1.1. Nazwa nadana zamówieniu przez zamawiającego:
dostawa monokrystalicznych półizolacyjnych podłoży GaN (GaN SI) o średnicy 1 i 1,5 cala oraz podłoży GaN typu n o średnicy 1 i 1,5 cala - II.1.3. Określenie przedmiotu oraz wielkości lub zakresu zamówienia:
Płytki podłożowe z monokrystalicznego GaN otrzymywanego metodą ammonotermalną o grubości 350 µm i orientacji (0001) C, strona Ga polerowana optycznie w ilości 53 szt. 1) płytki z półizolacyjnego GaN o średnicy 1.5 cala, rezystywności ≥10^9 Ωcm i gęstości dyslokacji < 1x10^5 cm^-2; 5 szt. 2) płytki z półizolacyjnego GaN o średnicy 1 cala, rezystywności ≥10^9 Ωcm i gęstości dyslokacji < 1x10^5 cm^-2; 8 szt. 3) płytki z GaN typu n o średnicy 1.5 cala, rezystywności ~10^-3 Ωcm, koncentracji nośników ~10^19 cm^-3 i gęstości dyslokacji <1x10^5 cm^-2; 10 szt. 4) płytki z GaN typu n o średnicy 1 cala, rezystywności ~10^-3 Ωcm, koncentracji nośników ~10^19 cm^-3 i gęstości dyslokacji <1x10^5 cm^-2; 30 szt. - II.1.4. Wspólny Słownik Zamówień (CPV): 24311140-0
Zobacz następny przetargZobacz poprzedni przetargPobierz ofertę w pliku pdfPowrót na stronę główną